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Global Warming and its adverse effects on the green planet
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Experiência
Fabrication & characterization of Zinc Oxide based Thin Film Transistor with Hafnium Oxide as high-k dielectric layer
jul. 2013 - Atual
The dielectric layer is being optimized by varying various thin film growth parameters by analyzing the Output, Transfer characteristics along with measurement of gate tunneling leakage current and capacitance versus voltage characteristics. This is done to achieve high-end device properties for CMOS, VLSI and sensor applications.
Educação
Integrated BS-MS Physics
(5 anos)
Intermediate in Science
(2 anos)
Qualificações
Academic Excellence
NIT Rourkela
2014
Academic Excellence award for securing 2nd position in the 4th year of Integrated MSc Physics.
Academic Excellence
NIT Rourkela
2012
3rd position for academic excellence in the 2nd year of Integrated MSc Physics.
SEM Debate
National Institute of Technology, India
2013
Speaker for the team supporting the topic "Whether a Scanning Electron Microscope (SEM) can be built using student projects?" . I was also the head of the student team for Electromagnetic Lens subsystem of the DARSHINEE SEM project.
Publicações
Fabrication & Characterization of pentacene based OTFT with Barium Titanate as high-k Dielectric Layer
Indian Academy of Sciences
There is an exponential increase in gate tunneling leakage current with decreasing dielectric thickness in a thin film transistor. An optimized set of parameters is being tried to set up with the above mentioned material combinations that can achieve maximum capacitance to generate good enough field-effect even at low gate voltages for low power applications while maintaining an extremely low leakage. Besides, approaches are being made to attain high on-off ratio and better response time when this OTFT would be
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